<div dir="ltr"><div>Dear users,</div><div><br></div><div><br></div><div>I am interested in calculating the charged defect formation energy of substitutional metal dopant Sn doped in Ti site in TiO2 system with Ti vacancy using the formula mentioned below. <br></div><div><br></div><div>𝐸 𝑑𝑒𝑓 [𝑋 𝑞 ] = 𝐸 tot [𝑋 𝑞 ] − 𝐸 tot [bulk] -  𝑛 𝑖 (𝐸 𝑖 + 𝜇 𝑖 ) + 𝑞[𝐸 VBM (perfect) + 𝐸 𝐹 ] + Δ𝐸 corr .<br><br></div><div>I am not sure which one should be the reference system (𝐸 tot [bulk]) in this case. Is it the pristine TiO2 structure <b>or</b> TiO2 with Ti vacancy. Also, in this case ni for Ti metal should 2, is that correct?</div><div>Can someone clarify for me.</div><div><br></div><div><br></div><div>regards</div><div><br></div><div>K. Nithish Sriram</div><div>Research Scholar</div><div>Madurai Kamaraj University</div><div>Madurai - 625 021<br></div></div>