
<html><p>Hello,</p><p>I performed an MD calculation at different temperatures using a supercell with 512 silicon atoms. After stabilizing the temperature, I extracted 160 structures for each temperature and conducted SCF calculations only at the gamma point for each extracted structure, which worked. I observed that the band gap decreases as the temperature increases. I am still waiting for all the SCF calculations to be completed, but currently, the average band gap is 0.54624 eV at 250K and 0.65271 eV at 4K.</p><p>Thank you for your help, Hasan.<br><br>Le Mardi, Août 13, 2024 15:26 CEST, "Md. Jahid Hasan Sagor" <md.sagor@maine.edu> a écrit:<br><br> </p><blockquote type="cite" cite="CAC5Hid_07wD+10OWp2WGw27dq51PiaB3Z=Ox8msttDwKVVgNAA@mail.gmail.com"><div dir="ltr"><p>Have you considered the lattice vibration (phonon) contribution? You need different atomic positions at different temperatures to include the phononic effect.</p><div> </div><div>Best</div><div>M J Hasan<br>Mechanical Engineering<br>University of Maine</div></div><p><br> </p><div class="gmail_quote"><div class="gmail_attr" dir="ltr">On Tue, Aug 13, 2024 at 8:17 AM David Fernandes Machado <<a href="mailto:dfernandes@laas.fr">dfernandes@laas.fr</a>> wrote:<br> </div><blockquote class="gmail_quote" style="border-left:1px solid rgb(204,204,204);margin:0px 0px 0px 0.8ex;padding-left:1ex;"><p>Hello all,</p><p> </p><p>I am trying to determine the dependence of the energy gap of silicon as a function of temperature. In the literature, it is stated that the decrease in the energy gap of silicon with increasing temperature can be explained by thermal expansion and electron-phonon interaction.</p><p> </p><p>First, I used the <strong>thermo_pw</strong> library (which uses the QHA approximation) to determine the lattice parameter of silicon as a function of temperature. Then, I ran the following calculations: SCF, NSCF, DOS, band, and finally plotband. I performed these calculations using the lattice parameters of Si corresponding to temperatures in a range from 4K to 800K. For this simulation, I am using PBE pseudopotentials, an <code>ecutwfc</code> of 25 Ry, and a unit cell with 2 atoms.</p><p> </p><p>The problem is that the gap increases with temperature instead of decreasing. I obtained a gap of 0.6187 eV at 4K and 0.6315 eV at 800K.</p><p> </p><p>I also tried calculating the band structure considering electron-phonon coupling using the EPW library, but the gap still increases with temperature.</p><p> </p><p>Has anyone already tried to calculate the silicon gap as a function of temperature? What am I doing wrong?</p><p>_______________________________________________<br>The Quantum ESPRESSO community stands by the Ukrainian<br>people and expresses its concerns about the devastating<br>effects that the Russian military offensive has on their<br>country and on the free and peaceful scientific, cultural,<br>and economic cooperation amongst peoples<br>_______________________________________________<br>Quantum ESPRESSO is supported by MaX (<a href="http://www.max-centre.eu" rel="noreferrer" target="_blank">www.max-centre.eu</a>)<br>users mailing list <a href="mailto:users@lists.quantum-espresso.org" target="_blank">users@lists.quantum-espresso.org</a><br><a href="https://lists.quantum-espresso.org/mailman/listinfo/users" rel="noreferrer" target="_blank">https://lists.quantum-espresso.org/mailman/listinfo/users</a></p></blockquote></div></blockquote><p><br><br><br> </p></html>