
<html><p>Hello all,</p><p> </p><p>I am trying to determine the dependence of the energy gap of silicon as a function of temperature. In the literature, it is stated that the decrease in the energy gap of silicon with increasing temperature can be explained by thermal expansion and electron-phonon interaction.</p><p> </p><p>First, I used the <strong>thermo_pw</strong> library (which uses the QHA approximation) to determine the lattice parameter of silicon as a function of temperature. Then, I ran the following calculations: SCF, NSCF, DOS, band, and finally plotband. I performed these calculations using the lattice parameters of Si corresponding to temperatures in a range from 4K to 800K. For this simulation, I am using PBE pseudopotentials, an <code>ecutwfc</code> of 25 Ry, and a unit cell with 2 atoms.</p><p> </p><p>The problem is that the gap increases with temperature instead of decreasing. I obtained a gap of 0.6187 eV at 4K and 0.6315 eV at 800K.</p><p> </p><p>I also tried calculating the band structure considering electron-phonon coupling using the EPW library, but the gap still increases with temperature.</p><p> </p><p>Has anyone already tried to calculate the silicon gap as a function of temperature? What am I doing wrong?</p></html>