<div dir="ltr"><p>Dear Quantum-Espresso community,</p><p>I want to calculate the temperature dependent band gap (be it indirect) in a large band gap semiconductor. I know that such calculations can typically be done using electron-phonon coupling. However, my system consists of over 50 atoms, making electron-phonon coupling calculations impractical.</p><p>For my work, I am performing variable cell Car-Parrinello molecular dynamics (CPMD) calculations. I would like to know how to conduct CPMD calculations to obtain the time history of the band gap at a given temperature.</p><p>As a reference, Claudio Quarti et al. have reported similar calculations for perovskites (DOI: 10.1039/c5cp00599j, see Fig. 6).</p><p>Any guidance or suggestions you can provide would be greatly appreciated.</p><p>Best regards,<br></p><div dir="ltr" class="gmail_signature" data-smartmail="gmail_signature"><div dir="ltr"><span style="color:rgb(34,34,34)">Vinay Maithani</span><div><span style="color:rgb(34,34,34)">IIT, Kharagpur</span><br></div></div></div></div>