<div dir="auto">Hi,<div dir="auto"><br></div><div dir="auto">To extract lattice parameters of Si/GaAs at finite temperature, we can apply NPT (vc-cp) using CPMD. My question is, do we have to set the desired finite temperature at both of &ION and &CELL card? </div><div dir="auto"><br></div><div dir="auto">To me, Only  set temperature  under &ION card should be enough, as I am thinking only ion is the physical quantities. Do you have other opinions for this?</div><div dir="auto"><br></div><div dir="auto">I tried NPT for Silicon and after 60000 steps, I have found that CELL temperature is not converging at the set temperature under &CELL card, but &ION temperature converged within 3000 steps.</div><div dir="auto"><br></div><div dir="auto">Please advise me if I am wrong.</div><div dir="auto"><br></div><div dir="auto">Thank you</div><div dir="auto"><br></div><div dir="auto">Best</div><div dir="auto">Md Jahid Hasan</div><div dir="auto">PhD Student</div><div dir="auto">Mechanical Engineering</div><div dir="auto">University of Maine </div></div>