<div dir="ltr"><div>Hi!</div><div>First just some fundamental things:</div><div>The band gap of silicon is an indirect gap between Gamma VBM and X (or near X) CBM, with ~1.2 eV. If you see the difference between VBM and CBM at Gamma point (direct band gap), the band gap is around 3 eV.</div><div>The Kohn-Sham-GGA (or LDA) level of theory underestimates the band gap of solid systems, it is a fact. The pseudo potential does not fix it at all. <br></div><div><br></div><div>If you want to improve the band gap, you need to use a hybrid functional o high level as GW. HSE understimates a little bit and PBE0 subestimate a little bit the band gap. PBE0(alpha) could be better.</div><div><br></div><div>As an example I adjunct an examples calculations with GGA, hybrid calculations a G0W0 calculations over it. They are just reference, because I use a primitive cell only with Gamma point, then the direct band gap is the only thing you can see. For a real calculation, a bigger cell or more kpoints are needed. This would complicate a hybrid or G0W0 calculations due to the resources.</div><div><br></div><div>Regards<br></div><div><br></div></div>