<div dir="ltr"><div>Hello dear colleagues</div><div><br></div><div>I'm trying to perform calculations of dielectric function of  Al2O3 using epsilon.x at the condition of high electronic temperature (0-4 eV).</div><div><br></div><div>For zero temperature I got reasonably good result - it coincides well with experiments. But when I increase "degauss" up to 1-3 eV I get strange results like negative eels spectrum around band gap energy or disobeing the f-sum rule.<br><br></div><div>So the question is do such calculations in principle meaningfull in QE? And - if yes - should I use any specific parameters for such calculations? The formula in epsilon.x manual should work I guess for any kind of occupation numbers distribution. But maybe I'm missing something?<br><br></div><div>Input file for 2eV is attached.<br> </div><div><br><div class="gmail_signature" data-smartmail="gmail_signature"><div dir="ltr"><div><div dir="ltr"><div><div>Best regards,</div><div> Roman Voronkov</div><div>LPI RAS<br></div></div></div></div></div></div>
</div></div>