<div dir="ltr">Hello,<div><br></div><div>This is not exactly a question on QE but a general question on computing electrostatic potential near a metal-semiconductor interface using DFT. I would really appreciate thoughts from the QE community.</div><div><br></div><div><div><span style="font-size:12.8px">There exists a lot of DFT papers that plot the electrostatic potential near a metal-semiconductor interface and use it to obtain the Schottky barrier height. Here's one such example where the authors work with a RhSi (metal) - Si interface: <a href="http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/112/9/10.1063/1.4761994" target="_blank">http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/112/9/10.1063/1.4761994</a> You will notice from Figure 3 in that paper that the average electrostatic potential (average over each sinusoidal oscillation) becomes constant in the semiconductor within a small length (~ 5 Angstrom) away from the interface. I have seen this in many other papers and in my own calculations. </span></div><div style="font-size:12.8px"><br></div><div style="font-size:12.8px">However, for an undoped semiconductor (no screening), the potential is not expected to become constant for at least a few tens of nm away from the interface (example: <a href="http://www.nextnano.de/nextnano3/tutorial/1Dtutorial_Schottky_barrier.htm" target="_blank">http://www.nextnano.de/nextnano3/tutorial/1Dtutorial_Schottky_barrier.htm</a> ). </div><div style="font-size:12.8px"><br></div><div style="font-size:12.8px">I'm trying to understand why DFT predicts a very small screening length even for undoped semiconductors. I am wondering if this is a DFT limitation and thought someone might have some idea on this? I would really appreciate any thoughts.</div></div><div style="font-size:12.8px"><br></div><div style="font-size:12.8px">Thank you!</div><div style="font-size:12.8px">Sridhar</div><div style="font-size:12.8px">Purdue University</div></div>