<div dir="ltr">Hello all,<div><br></div><div>I have some questions about how structures are specified in QE:</div><div><br></div><div>Are the K_POINTS in the scf calculation for pw.x responsible for specifying some relevant shape? (eg 4 4 4 or 8 8 8 = bulk material,   and 4 4 1 or 8 8 2 = thin film/2D structure)<br>
</div><div><br></div><div>To put this in context, I am trying to measure the effects of Strain on phonons and crystal structure of thin films of silicon stretched over some SiGe Alloy or Ge substrate. The result being a stretched layer of silicon over the substrate which is stretched in the 100 and 010 directions, and negligibly compressed in the 001 direction. It is important that the structure does not relax at all in the calculation for this would give misleading results.</div>
<div><br></div><div>Thus far i have been using K_POINTS such as 4 4 4 or 8 8 8, and am curious to know if these K_POINTS are meant for specifying bulk materials, and if I should change to something more like 4 4 1 or 8 8 2 for thin filmed structures?</div>
<div><br></div><div>Best Regards,</div><div>Cameron</div></div>