<br><br><div class="gmail_quote">---------- Forwarded message ----------<br>From: <b class="gmail_sendername">marziyeh khodadad</b> <span dir="ltr"><<a href="mailto:khodadadmarziyeh@gmail.com">khodadadmarziyeh@gmail.com</a>></span><br>
Date: Mon, Dec 3, 2012 at 2:13 PM<br>Subject: [Pw_forum] (no subject)<br>To: <a href="mailto:Pw_forum@pwscf.org">Pw_forum@pwscf.org</a><br><br><br>Dear All,<br>i study on SiC bundle nanotubes, the bundle nanotube is semi-conductor. i have a problem in DOS input file,<br>
 for Dos calculation, i have chosen smearing for occupation in input scf and nscf files. but after calculation the DOS showed a wrong value of gap.<br>
 then i repeated calculations with tetrahedra for occupation in input scf  and nscf files, the value of the gap was true but the fermi energy changed a lot.  <br> next with smearing for occupation in input scf  file  but   tetrahedra  occupation in input nscf file, the gap and the fermi energy in DOS were true.<br>

i want to know it is correct to perform the calculations of scf and nscf with different occupations or not?  <br><br>with regards,<br><br>Khodadad<br> <br>
<br>_______________________________________________<br>
Pw_forum mailing list<br>
<a href="mailto:Pw_forum@pwscf.org">Pw_forum@pwscf.org</a><br>
<a href="http://pwscf.org/mailman/listinfo/pw_forum" target="_blank">http://pwscf.org/mailman/listinfo/pw_forum</a><br></div><br>