Dear All,<br>i study on SiC bundle nanotubes, the bundle nanotube is semi-conductor. i have a problem in DOS input file,<br> for Dos calculation, i have chosen smearing for occupation in input scf and nscf files. but after calculation the DOS showed a wrong value of gap.<br>
 then i repeated calculations with tetrahedra for occupation in input scf  and nscf files, the value of the gap was true but the fermi energy changed a lot.  <br> next with smearing for occupation in input scf  file  but   tetrahedra  occupation in input nscf file, the gap and the fermi energy in DOS were true.<br>
i want to know it is correct to perform the calculations of scf and nscf with different occupations or not?  <br><br>with regards,<br><br>Khodadad<br> <br>