Dear developers and users,<div><br></div><div>I'm testing the electron dos of silicon near conduction band minimum following the example came with the package. The produced band structure compares well with literature.  The overall shape of DOS also compares well with literature.  However, to my great surprise, the dos near the CBM doesn't follow the expected DOS ~ E^1/2 dependence at all (see attachment), this wrong dependence leads to disaster when trying to compute transport properties. The grid I chose for scf is 16 16 16 1 1 1, while for nscf is 30 30 30 0 0 0. The rest of the input pretty much follows the example input files. I wonder if there is any part I missed or should I just keep increasing the nscf grid? Thanks a lot!</div>
<div><br></div><div>Please let me know if I need to attach the input files too.</div><div><br></div><div>Bo</div>