<font size="-1">Dear Gabriel,<br>Thank you very much for your answer.<br>The
 original problem that I need to solve is getting the local density of 
states on different planes of the structure. As you know, QE calculates 
3D-DOS of the structure and I need to convert it to quasi-2D-DOS, 
somehow.<br>
This is what is done by "Takahiro Yamasaki et al.", in "Geometric and 
electronic structures of SiO2/Si(001)… interfaces"; they divided the 
unit cell into 1.0 a.u. (50.529 Å) thick slices parallel to the 
interface, and specify each slice as a local region, and then define a 
local density of states for each region. <br>
I need to do the same thing for my structure, and I was wondering if (and how)I can get it with QE.<br>I know ILDOS is the integration in a range of energy.<br>What
 I wanted to do was finding ILDOS on planes (I don't know how) for a 
very small fraction of energy each time to get them all in a wide range 
of energies to have a rough estimate of LDOS on the parallel planes.<br>
My structure is hexagonal with vacuum in z direction. I got all the 
x0(i)=0 (I thought I didn't need to change the origin given by x0(i), 
while I change e3) and iflag=2.<br>I need to get 2D-DOS for further calculation, thus I don't need to visualize, just the data.<br>
A couple of months ago, I thought that I might have got LDOS on planes 
by summing the partial projected DOS of all atoms at the interface 
(which I guess it was silly).<br>If you (or anybody) could give me hints, I would really appreciate.<br>
Yours<br>P Shock<br>PhD candidate UMD</font>