Dear Everyone,<br>    I have got the data below from my output of 2D charge density calculation. I ran my work for two different defects type in bulk SiC (2x2x2 super cell): <br>- One defect with Cs sits at C site (1/4 1/4 1/4 position), I got this information below <br>
               Min, Max, imaginary charge:     <span style="color: rgb(0, 0, 153);">0.000143</span>    0.391420    0.000000<br>- One defect with Cs sits at Si site (1/2 1/2 0 position) and I got the information below<br>               Min, Max, imaginary charge:   <span style="color: rgb(51, 51, 255);"> <span style="color: rgb(0, 0, 153);">-0.000006</span></span><span style="color: rgb(0, 0, 153);"> </span>   0.393416    0.000000<br>
<b>My question are what does it mean when the min charge density is negative? and what difference does it make between the negative min charge density and positive min charge dendity. </b><br> <br>Also, when I do the density of state calculation for the cells above (SiC with Cs at substitutional site of C and Si), I found an extra peak in the band gap and :<br>
    for Cs at C site in SiC, the extra peak is close to the conduction band minimum<br>    for Cs at Si site in SiC, the extra peak is closed to the valence band maxnimum<br clear="all"><br><b>So does it have something to do with the charge density, I found to be starting with negative and postitive above?I mean is there a correlation here or they are totally from different thing?<br>
</b><br>I'm sorry if my questions are confusing or do not make any sense, and I really appreciate any input you have for me.<br><br>Best Regards,<br><br>Tram Bui<br><br>M.S. Materials Science & Engineering<br><a href="mailto:trambui@u.boisestate.edu" target="_blank">trambui@u.boisestate.edu</a><br>
<br>