Dear All,<br>I am working on Si/SiO2 system, at the moment.<br><ol><li>I was wondering whether the sum of all LDOS calculated from projected wavefunction on the Si at the interface can give me the density of interface states. The question is whether the sum of LDOS of projected wavefunction on the inter-facial atoms is equivalent to planar local density of state at the interface.<br>
</li><li>If positive, the sum of LDOS of all projected wavefunction on all atoms at the interface divided by the surface of the interface is by far higher than the Dit reported from experiment. Actually, I am thinking, no matter how big the structure is, the Dit is still very high. I was wondering whether I miss any point to consider for calculation.</li>
</ol>I really really appreciate your help.<br>Have a great summer.<br>M Alaaii<br>