Hi all,<div><br></div><div>As far as I understand, PWSCF calculates the stress following Nielsen and Martin, PRL 50, 697 (1985), with expressions updated for ultrasoft pseudopotentials and maybe other thechnical upgrades. In the formalism of Nielsen and Martin, the stress is calculated as a partial derivative of the energy versus the strain tensor, hence keeping frozen the atomic coordinates. The effect of keeping frosen the atomic fractional coordinates have a large effect in the paradigmatic case of the C44 elastic modulus of silicon, where there is a large internal strain when the cristal is strained along the [111] direction. In the times of 1985, the internal strain contribution to the stress was evaluated using more theory and the (I guess, experimental) values of the TO phonon frequency.</div>
<div><br></div><div>In modern times, I would instead relax the atomos in the strained cell, and take the value of the stress tensor at the relaxed geometry. Doing so, I think I still lose </div><div>part of the stress, related with the derivative of the atomic positions with respect to the strain.  On the other hand, the internal strain can be accounted for, calculating the elastic moduli from the second derivative of the energy with respect to the strain. </div>
<div><br></div><div>I tested both methods to obtain the C44 constant of silicon, using the strain long the [111] direction. With both methods I obtain the same value of 77.1 GPa. I expected to obtain different values. What am I missing?</div>
<div><br></div><div> I checked that not allowing relaxation, I also obtained the same value for the C44(0) using the energy and the stress data. I also checked that the constant C11 give consistent values.</div><div><br><div>
<br>-- <br>Eduardo Menendez<br>Departamento de Fisica<br>Facultad de Ciencias<br>Universidad de Chile<br>Phone: (56)(2)9787439<br>URL: <a href="http://fisica.ciencias.uchile.cl/~emenendez">http://fisica.ciencias.uchile.cl/~emenendez</a><br>

</div></div>