<div dir="ltr">Dear Dario,<br><br>For calculation of dielectric properties you need to do integrations over the BZ. For high symmetry lattices, a shifted k-point mesh (specially a k-pt mesh without Gamma pt.) without the high symmetry points should be used. In that way you have a better sampling of your BZ and hence a improvement in the results. I also found similar improvements of convergence when I tested for convergence of adsorption energy wrt k-point mesh.<br>
<br>Prasenjit.<br><br><div class="gmail_quote">2008/10/10 dario rocca <span dir="ltr"><<a href="mailto:roccad@gmail.com">roccad@gmail.com</a>></span><br><blockquote class="gmail_quote" style="border-left: 1px solid rgb(204, 204, 204); margin: 0pt 0pt 0pt 0.8ex; padding-left: 1ex;">
<div dir="ltr"><br>Dear Users<br>I have an issue related to the convergence of the static dielectric  matrix using the PH code. I have performed calculations<br>on bulk silicon using different k point meshes and I have obtained the following results:<br>

<br>k grid              diagonal component of      number of k points in<br>                         the dielectric tensor           the irreducible Brillouin zone<br><br>4*4*4                   23.668350065                        8<br>

 6 *6*6                16.297485614                       16<br>8 *8*8                  14.044830694                       29<br>10 *10*10             13.288531964                     47<br>12*12*12              13.029602882                     72<br>

16 *16*16             12.908820645                    145<br>20 *20*20             12.894538380                    256<br><br>k grid+ 1 1 1 shift              diagonal component of      number of k points in<br>
                                            the dielectric tensor           the irreducible Brillouin zone<br><br>4*4*4                                      13.840844632                           10<br>6*6*6                                     12.997009732                           28<br>

8*8*8                                     12.903849607                           60<br>10*10*10                               12.893711596                         110<br>12*12*12                               12.892685597                         182<br>

16*16*16                               12.892482798                         408<br>20*20*20                               12.892537346                         770<br> <br>I was surprised of the improvement in the convergence due to the shift of the grid. I don't think this is related to the number of k points <br>

in the IBZ (at least not<span> exclusively</span>).<br>I have observed a similar behavior in diamond. <br>The ground state energy convergence also benefits from  the shift, but the improvement is not so striking.<br>
Does someone has any hint on why the shift of the grid improves the calculation of the dielectric properties of silicon?<br>Thanks a lot<br>Dario Rocca, dept. of chemistry, UC Davis <br><br></div>
<br>_______________________________________________<br>
Pw_forum mailing list<br>
<a href="mailto:Pw_forum@pwscf.org">Pw_forum@pwscf.org</a><br>
<a href="http://www.democritos.it/mailman/listinfo/pw_forum" target="_blank">http://www.democritos.it/mailman/listinfo/pw_forum</a><br>
<br></blockquote></div><br><br clear="all"><br>-- <br>PRASENJIT GHOSH,<br>POST-DOC,<br>ROOM NO: 265, MAIN BUILDING,<br>CM SECTION, ICTP,<br>STRADA COSTERIA 11,<br>TRIESTE, 34104,<br>ITALY<br>PHONE: +39 040 2240 369 (O)<br>
              +39 3807528672 (M)<br>
</div>