Hi Ding,<br><br>  According the DOS it is a small-gap semiconductor. By the way, I used tetrahedron method only for 'scf' calculation using relaxed geometry obtained with 'm-v' smearing method.<br><br><div>
<span class="gmail_quote"></span><blockquote class="gmail_quote" style="border-left: 1px solid rgb(204, 204, 204); margin: 0pt 0pt 0pt 0.8ex; padding-left: 1ex;">I found below on web. Hope it is useful.<br>For the calculation of the / total energy/ in bulk materials we
<br>recommend the tetrahedron method with Blöchl corrections. This method<br>also gives a good account for the electronic density of states (DOS).<br>The only drawback is that the methods is not variational with respect to
<br>the partial occupancies. Therefore the calculated forces are wrong by 5<br>to 10 % in metals.<br><br></blockquote></div><br>Yes, I am aware of that. That's why I didn't use 'tetrahedra' for geometry relaxation.
<br><br clear="all"><br>cheers,<br><br>=====================================<br> Jess Kondor<br><br> PICYT, Av. Venustiano Carranza 2425-A, <br>  San Luis Potosí 78210, México<br>=====================================