Hi,<br><br>  I am working on GaN nanowires. Can anyone please let me know which material should be used as p type dopant for GaN. I tried using Mg and Si as p type dopants but they seem to create bonding between 2 Ga atoms and create bands in the energygap. <br>I would be really thankful if anyone can help me solve this problem.<br><br>Thanks.<br><br>Regards,<br>Sagar.<br><b><i>saman ghaderyan <ghaderyan@gmail.com></i></b> wrote:<blockquote class="replbq" style="border-left: 2px solid rgb(16, 16, 255); margin-left: 5px; padding-left: 5px;"> hi<br>i run relaxation for AlAs with nat=4<br>Al   0.00 0.00  0.00<br>As  0.25 0.25  0.25<br>Al   0.50  0.50  0.00<br>As -0.25 0.25 0.25<br>but i don't know why these atomic position have error<br>thanks<br>_______________________________________________<br>Pw_forum mailing list<br>Pw_forum@pwscf.org<br>http://www.democritos.it/mailman/listinfo/pw_forum<br></blockquote><br><p>
        

        
                <hr size=1></hr> 
Here’s a new way to find what you're looking for - <a href="http://us.rd.yahoo.com/mail/in/yanswers/*http://in.answers.yahoo.com/">Yahoo! Answers</a>